从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％

扩散片是背光模组组成之一，扩散板(Diffuser)也有人叫它扩散片， 主要功能为显示器提供一个均匀的面光源。 基材需选择光透过率高的材料如PET/PC/PMMA。一般传统的扩散膜主要是在扩散膜基材中，加入一颗颗的化学颗粒，作为散射粒子，而现有之扩散板其微粒子分散在树指层之间，所以光缐在经过扩散层时会不断的再两个折射率相异的介质中穿过，在此同时光缐就会发生许多折射、反射与散射的现象，如此便造成了光学扩散的效果。

扩散片的结构从下至上通常是抗静电涂布层,PET基材,以及扩散层.

背光模组的材料的组成从下至上为反射片,导光板,下扩散片,棱镜片,上扩散片.扩散片工作原理是借有扩散物质的折射和反射将光源雾化,并将光由小角度出光集中到正面以提高正面辉度.下扩散片主要是将从导光板发出的光集中起来均匀投射到棱镜片上,而上扩散片的主要作用是将棱镜片射出的光雾化,并将光均匀透出.同时上扩也能起到保护棱镜片的作用.

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品，目前直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

业务范围:

1、太阳能组件回收：长期回收拆卸组件、库存组件、测试组件、降级组件、B级组件、客退组件、工程组件、层压件等大小不限。

2、太阳能板回收：单晶太阳能板回收，多晶太阳能板回收

3、硅片回收：各类单晶硅片、多晶硅片、缺角片、抛光片、扩散片、蓝膜片、可划片及碎片等。

4、电池片回收：各类单晶电池片、多晶电池片、崩边缺角片、碎片等。

5、多晶硅回收：原生多晶、单多晶边皮、头尾料、复拉棒料、锅底料、重掺料、多晶循环料（顶边、侧边、底边、条料等)